一种分布式反馈激光器及其制备方法、激光芯片

本申请涉及激光器制备技术领域，并提供一种分布式反馈激光器及其制备方法、激光芯片。分布式反馈激光器的制备方法包括：提供衬底；在衬底依次生长n型掺杂层、p型单独限制层和p+/n+隧道结；刻蚀p+/n+隧道结，形成多个光栅；在光栅上依次生长n型包覆层、未掺杂活性层和p型包覆层；分别在衬底和p型包覆层上生长第一电极和第二电极；进行退火处理。该制备方法中，利用刻蚀p+/n+隧道结的方法，可以实现低温环境下形成多个间隔分布的光栅，并采用n型包覆层覆盖光栅，形成微电流注入区，该光栅可以实现多种出光方式中图案的排布，实现各方向出光，以满足分布式反馈激光器的不同出光特性的需求。