一种氧化镓微观缺陷电学特性调节方法

本发明公开了一种氧化镓微观缺陷电学特性调节方法，涉及半导体材料制备技术领域，包括，同步采集氧化镓的原始图像数据集，并获取量子修正系数；采集制作氧化镓的工艺参数，结合量子修正系数构建强化学习状态向量，并通过预训练的TD3算法网络，生成工艺控制指令和状态‑动作对；根据工艺控制指令进行工艺参数调整，并使用调整后的工艺参数制作氧化镓；采用脉冲模式测量氧化镓表面的电阻率，结合霍尔效应测试计算载流子浓度和迁移率，同时测量击穿电压和漏电流密度，并计算迁移率变化率和漏电流波动系数，根据奖励函数计算奖励值。本发明提高了氧化镓在极端工况下的电学性能一致性与稳定性。