一种高速防串扰集成芯片及其制作方法

本发明涉及半导体开发技术领域，具体涉及一种高速防串扰集成芯片及其制作方法，在衬底上生长底层结构、波导层及光栅结构，在光栅结构表面并列生长激光器量子阱结构和调制器的量子阱结构，刻蚀掉调制器区和激光器区的两侧边缘部分，构造出波导台阶，并在波导台阶两侧填充生长电流阻挡层，在波导台阶顶部生长P型欧姆接触层，再次刻蚀调制器和激光器的两侧边缘部分直至暴露底层结构表面，形成芯片波导；分别制作激光器和调制器的电极；并通过减薄、解离形成Bar条，端面镀膜完成芯片制备。通过将激光器光栅制作在量子阱层的下方，设置沟槽将激光器和调制器断开，降低激光器的阈值电流，提高激光器的输出功率，避免激光器和调制器之间电信号串扰。