压接型IGBT电流自平衡的发射极信号回路结构和电路

本发明提供了一种压接型IGBT电流自平衡的发射极信号回路结构和电路，涉及压接型IGBT芯片技术领域，该回路结构包括IGBT芯片，设置第一位置、第二位置和两个接线孔的驱动信号PCB板和发射极底座，栅极通过第一位置与其中一个接线孔电连接，发射极通过发射极底座上的第三位置和第二位置与另一个接线孔电连接，两个接线孔之间电连接外部驱动电路。该回路结构通过一种新的栅极‑发射级信号回路构造方式，取消了发射极底座杂散电感对并联芯片栅极信号的影响，并创造性地将一致的发射极底座中的发射极凸台电感引入为芯片均流的负反馈机制，赋予了并联芯片根据通流大小自主调节栅压的能力，使压接型IGBT具备了更好的均流效果。