半导体基板切割方法
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半导体基板切割方法
申请号:
CN202510938603
申请日期:
2025-07-08
公开号:
CN120834060A
公开日期:
2025-10-24
类型:
发明专利
摘要
本公开是关于一种半导体基板切割方法。涉及芯片制造加工领域,解决了使用Smart‑Cut技术进行芯片切割生产周期较长和成本较高的问题。该方法包括:在同一半导体基板中,形成至少两个薄膜;通过至少两块支撑基板,批量转移所述薄膜。本公开提供的技术方案适用于芯片生产,实现了一次多片晶圆的切割制造。
技术关键词
半导体基板
切割方法
支撑基板
薄膜
电化学抛光
抛光液
机械抛光
批量
芯片
气泡
真空度
磨头
气相
压力
碱性
托盘
离子
周期
沪ICP备2023015588号