半导体基板切割方法

AITNT
正文
推荐专利
半导体基板切割方法
申请号:CN202510938603
申请日期:2025-07-08
公开号:CN120834060A
公开日期:2025-10-24
类型:发明专利
摘要
本公开是关于一种半导体基板切割方法。涉及芯片制造加工领域,解决了使用Smart‑Cut技术进行芯片切割生产周期较长和成本较高的问题。该方法包括:在同一半导体基板中,形成至少两个薄膜;通过至少两块支撑基板,批量转移所述薄膜。本公开提供的技术方案适用于芯片生产,实现了一次多片晶圆的切割制造。
技术关键词
半导体基板 切割方法 支撑基板 薄膜 电化学抛光 抛光液 机械抛光 批量 芯片 气泡 真空度 磨头 气相 压力 碱性 托盘 离子 周期
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号