一种高精度多轴敏感微型加速度传感器芯片及其制备方法

AITNT
正文
推荐专利
一种高精度多轴敏感微型加速度传感器芯片及其制备方法
申请号:CN202510938839
申请日期:2025-07-08
公开号:CN120801754A
公开日期:2025-10-17
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种高精度多轴敏感微型加速度传感器芯片及其制备方法,属于电加速度传感器技术领域。本发明公开的多轴d33模式微型压电加速度传感器芯片,通过在底座接触区和帽形质量块接触区之间设置SiO2层和铝层,通过金属键合实现二氧化硅‑金属键合工艺,将纵向压电模式应用到微加速度计中,解决了现有的速度传感器芯片难以满足d33压电传感器应用需求的技术问题。
技术关键词
微型加速度传感器 接触区 电极 芯片 电加速度传感器 ZnO压电薄膜 AlN压电薄膜 底座 磁控溅射方法 压电传感器 溶胶凝胶法 正面 二氧化硅 模式 电路 气相
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号