基于SRAM的浮点型指数比较电路及其芯片

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正文
推荐专利
基于SRAM的浮点型指数比较电路及其芯片
申请号:CN202510940272
申请日期:2025-07-09
公开号:CN120447865B
公开日期:2025-09-16
类型:发明专利
摘要
本申请涉及一种基于SRAM的浮点型指数比较电路及其芯片,其中,该浮点型指数比较电路包括阵列分布的若干指数运算单元,每个指数运算单元包括进位传播全加器和15T‑SRAM存储单元。与相关技术相比,通过在传统存储阵列中添加辅助晶体管集成比较、加法功能,实现存内指数比较找最大值、减法求移位量,相较于传统指数计算方法减少了数据迁移功耗;同时在指数读出阶段实现对异常指数值感知,并根据感知结果动态跳过冗余移位量计算流程,优化能量消耗;相较于现有部分指数比较电路采用单bit串行比较,所提出的指数比较电路实现高速并行最大值比较,减法求移位量操作,为浮点数指数处理提供低功耗与高效并行的解决方案,即解决了目前的浮点型指数比较电路存在计算效率低的问题。
技术关键词
SRAM存储单元 浮点数 全加器 栅极 电路 指数计算方法 移位器 加法功能 信号线 加法器 存储阵列 数据迁移 节点 芯片 位线 能量消耗 反相器 开关管
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