高密度重新分布互连封装结构及其制备方法

本发明实施例提供的高密度重新分布互连封装结构及其制备方法，涉及芯片封装技术领域，该封装结构包括基底重布线层、第一芯片、第一塑封体、包覆层、集成重布线层、第一堆叠重布线层、第二芯片和第二塑封体。相较于现有技术，本发明实施例提供的高密度重新分布互连封装结构，通过额外设计第一散热柱，能够大幅提升散热性能，减缓过热现象。同时第一散热柱能够同时嵌设于第一塑封体和包覆层，从而大幅提升封装结构各层的结合力，保证结构稳定性，并减缓封装结构翘曲现象。同时，利用第一导电柱和第二导电柱实现电传导，减少布线层的寄生电感，减缓产生漏电现象导致的布线层之间短路、过热等现象。