一种高亮度红光Mini LED芯片及其制备方法

本发明涉及一种高亮度红光Mini LED芯片及其制备方法，由下自上依次包括透明衬底、键合层、P‑GaP光窗口层、P‑AlInP限制层、MQW多量子阱层、N‑AIInP限制层、N‑AlGaInP电流扩展层、N‑GaAs欧姆层、P一次电极、N一次电极、DBR钝化层、P电极焊盘、N电极焊盘。本发明通过在GaP窗口层粗化时制作掩膜层，并采用多段粗化，在最后一次粗化前，粗化掩膜层以外的区域，最后一次粗化时，去除光刻胶掩膜，进行整面粗化，形成具有表面图形的粗化结构，增大了发光面积，从而提升芯片亮度。