一种用于光子芯片-光纤耦合的模斑转换芯片及制备方法

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一种用于光子芯片-光纤耦合的模斑转换芯片及制备方法
申请号:CN202510945123
申请日期:2025-07-09
公开号:CN120821023A
公开日期:2025-10-21
类型:发明专利
摘要
本发明涉及光子器件领域,且公开了一种用于光子芯片‑光纤耦合的模斑转换芯片,其包括基底、波导层、包层以及分列其两端的第一波导阵列和第二波导阵列,其中:包层位于基底的上方,其包裹住波导层,并且,三者的端口截面对齐;波导层中含有多条以飞秒激光直写制备的波导;第一波导阵列匹配有光纤阵列,其与光纤阵列中的光纤进行光耦合对准;第二波导阵列匹配有光子芯片,其中的波导与光子芯片中的波导进行光耦合。本发明中,只需将平面光波导芯片与硅光芯片的包覆层进行刻蚀,令硅光芯片上的波导结构能与平面光波导芯片产生倏逝波耦合进行光信号的传输即可,此种方式比断面耦合方式以及光栅耦合方式操作简便,不需要精确控制角度与断面对准。
技术关键词
波导阵列 光子芯片 光纤阵列 飞秒激光直写 平面光波导芯片 精确控制角度 V型凹槽 三轴位移平台 基底 光子器件 波导结构 倏逝波 速度 石英玻璃 抛光剂 线性
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