摘要
本发明公开了一种考虑栅电流效应的E‑mode器件非线性电流模型参数提取方法,涉及增强型器件建模技术领域。包括:建立E‑mode器件的非线性电流模型;提取晶体管寄生电阻;去除晶体管寄生电阻影响,计算非线性电流模型中本征区栅‑源和栅‑漏节点电压,得到本征的栅源电压和漏源电压;提取本征栅电流模型参数;从晶体管实测漏‑源电流中融合栅电流分量的影响得到本征部分的漏源电流分量;提取本征非线性漏‑源电流模型参数;将本征非线性漏‑源电流模型参数值代入本征非线性漏‑源电流模型方程进行验证。本发明在传统非线性电流模型参数提取方法中引入栅电流分量计算,实现本征非线性电流源参数准确提取。
技术关键词
电流模型
晶体管
非线性
陷阱效应
电压
参数
电阻
增强型器件
等效电路模型
方程
建模技术
曲线
电流源
数据
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