具有纳米空气隙的外延片、外延片的制备方法及LED芯片

本发明属于LED技术领域，具体涉及一种具有纳米空气隙的外延片、外延片的制备方法及LED芯片，外延片包括键合蓝宝石衬底、AlN模板层、n型AlGaN层、多量子阱有源层、电子阻挡层、p型AlGaN层、p型GaN接触层，所述键合蓝宝石衬底中间区域形成的梭形纳米空气隙；所述键合蓝宝石衬底上层叠生长AlN模板层、n型AlGaN层、多量子阱有源层、电子阻挡层、p型AlGaN层和p型GaN接触层。本发明在蓝宝石衬底中综合应用键合和纳米图形技术，增加光在蓝宝石衬底与空气界面的传播路径，解决了由于衬底和模板的全反射现象导致的深紫外LED光提取效率低问题。