摘要
本发明提供了一种掩模版的图形校正方法及校正系统,方法包括以下步骤:设置多个主图形和多个辅助图形,收集主图形和辅助图形光刻后的晶圆数据;在掩模版上搜寻与辅助图形具有相同特征尺寸的主图形,作为参照图形;获取参照图形从掩模版上被转印到晶圆上的缩放比例,按照缩放比例和掩模版上辅助图形的尺寸信息,获取辅助图形被转印到晶圆上的虚拟尺寸数据;以及将虚拟尺寸数据和晶圆数据作为光学邻近校正模型的建模参数,迭代建立光学邻近校正模型,直到校正误差小于阈值。本发明提供了一种掩模版的图形校正方法及校正系统,能够提升光刻的图形转印准确性,从而提升半导体制造良率。
技术关键词
图形校正方法
光学邻近校正模型
模版
校正系统
尺寸
校正误差
图形数据库
光刻制程
框架组合
参数
偏差
晶圆
电镜
图像
模块
半导体
良率