晶圆膜厚测量方法、装置、设备及存储介质

本发明提供一种晶圆膜厚测量方法、装置、设备及存储介质，涉及半导体加工技术领域。该方法包括：实时采集待测晶圆的加工数据；其中，所述加工数据包括加工参数及白光干涉光谱数据；对所述加工数据进行特征降维，生成查询向量；根据所述查询向量在向量数据库中执行余弦相似度匹配，确定与所述查询向量相似度最高的目标向量所关联的膜厚值，根据所述膜厚值生成晶圆膜厚测量结果。本发明通过协同对高维白光干涉光谱数据与加工参数进行特征降维，以及，通过余弦相似度匹配在向量数据库中快速检索最相似历史数据对应的膜厚值，在保证测量精度的同时，大幅提升膜厚计算速度，满足CMP工艺毫秒级实时控制需求。