晶圆结构及其形成方法

本发明涉及一种晶圆结构及其形成方法。所述形成方法中，用于键合的晶圆上形成有识别标记，方便在键合工艺流程中识别追踪晶圆，并且，在所述边缘区形成覆盖所述识别标记的第一介质层并进行第一平坦化处理，降低了所述识别标记产生的高度落差，使得之后形成的第二介质层为了补偿识别标记的高度落差而需额外增加的沉积量减少甚至为零，因而第二平坦化处理后的剩余介质厚度可控性和平坦化效果提高，有助于提高后续工艺的质量以及采用所述晶圆形成的晶圆结构以及芯片的性能。所述晶圆结构可采用上述形成方法形成。