一种功率芯片直焊的半桥功率模块及其制造方法

AITNT
正文
推荐专利
一种功率芯片直焊的半桥功率模块及其制造方法
申请号:CN202510948559
申请日期:2025-07-10
公开号:CN120527317A
公开日期:2025-08-22
类型:发明专利
摘要
本申请提供了一种功率芯片直焊的半桥功率模块及其制造方法,半桥功率模块包括分离式散热板、封装盖板、封装外壳和功率组件,功率组件按给定桥式电路设置于分离式散热板上,封装外壳用于将分离式散热板电气绝缘并在分离式散热板、功率组件之间封装形成空腔,封装盖板设置在封装外壳上。本申请通过去掉DBC陶瓷基板,直接将功率芯片设置于金属散热板上,且本申请提供的功率模块中的金属散热板无需进行预留弧度设计,减少材料及工艺成本,缩小模块整体体积。
技术关键词
功率芯片 封装外壳 散热板 功率组件 活性金属焊料 封装盖板 半成品 插针 半桥功率模块 散热底板 信号 DBC陶瓷基板 灌胶设备 真空焊接 半桥电路 桥式电路结构 空洞
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号