一种高精度智能仪表测量芯片的制造方法及相关装置

本发明公开一种高精度智能仪表测量芯片的制造方法及相关装置。方法首先对下层铜互连进行多级真空退火和原子层还原蚀除，引入热‑电协同应力使富空位层转化为〈111〉择优晶粒，获得晶向一致的键合准备面；随后在受控惰性气氛中完成低温铜‑铜热压键合，并实时截取互连初始热电势。通过驱动上层功能区按空间映射功耗序列建立垂直热流，采集界面电压响应，经时序配准与差分处理提取互连塞贝克偏差；依据偏差结果利用再布线层的可编程金属段实施同步熔断和并联连接，构建热电平衡互连网络并写入零点漂移标定值。该方案在材料、测定与互连重构三个层面闭合消除方向相关热电动势，从而在纳伏级噪声条件下保证测量链长期零漂稳定。