一种用于半导体的显示屏制造方法

本发明提供了一种用于半导体的显示屏制造方法，属于半导体技术领域，包括：提供具有特定电阻率范围的半导体衬底；在半导体衬底上通过物理气相沉积工艺形成缓冲层；在缓冲层上运用分子束外延技术交替沉积第一半导体层和第二半导体层；使第一半导体层和第二半导体层的界面形成量子阱结构；在第一半导体层和第二半导体层构成的复合层上，采用先进的极紫外光刻技术形成有源区图案；使用波长为13.5nm的极紫外光刻光源进行曝光，曝光后进行后烘，通过浓度为2.38%的四甲基氢氧化铵水溶液进行显影；通过反应离子刻蚀工艺去除非有源区的复合层材料。提高了显示屏的性能一致性和可靠性。