一种双向自选通存储器阈值电压漂移电路仿真模型

AITNT
正文
推荐专利
一种双向自选通存储器阈值电压漂移电路仿真模型
申请号:CN202510958121
申请日期:2025-07-11
公开号:CN121031493A
公开日期:2025-11-28
类型:发明专利
摘要
本发明涉及一种双向自选通存储器阈值电压漂移电路仿真模型,引入具有连续过渡特性的函数用于描述器件导通前后的非线性电流‑电压特性,实现导通前后电学参数的平滑过渡,具体包括:状态寄存模块,用于根据施加电压确定自选通存储器的状态,并对施加电压的极性和自选通存储器的状态进行存储;阻值计算模块,用于根据施加电压计算自选通存储器的阻值;阈值电压漂移模块,用于根据自选通存储器阈值电压漂移公式计算漂移后的阈值电压。本发明能够为三维交叉堆叠自选通存储器的架构设计与读写电路优化提供高精度的仿真基础。
技术关键词
电路仿真模型 存储器 电压 势垒高度 电流 模块 陷阱 导带 非线性 存储单元 电子 关断 参数 指数 定义 密度 间距 基础
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号