NAND FLASH的参数测试方法、系统和装置

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正文
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NAND FLASH的参数测试方法、系统和装置
申请号:CN202510959702
申请日期:2025-07-11
公开号:CN120895083A
公开日期:2025-11-04
类型:发明专利
摘要
本发明公开一种NAND FLASH的参数测试方法、系统和装置,方法包括:基于预设通信协议向目标存储芯片发送参数读取命令,其中,目标存储芯片为待测试的NAND FLASH芯片;判断是否接收到目标存储芯片根据参数读取命令反馈的参数数据;若接收到参数数据,则解析参数数据得到测试结果;若未接收到参数数据,则对目标存储芯片执行读写擦除测试,得到测试结果。本发明在无法直接读取到参数数据时,通过对目标存储芯片执行读写擦除测试来确定参数数据,从而得到测试结果,提高了参数测试的灵活性。
技术关键词
存储芯片 参数测试方法 存储块 参数测试系统 数据 命令 协议 参数测试装置 生成测试报告 处理器通信 测试设备 存储器 指令
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