一种高带宽闪存芯片的加工方法

本发明涉及存储技术领域，尤其涉及一种高带宽闪存芯片的加工方法，包括以下步骤：S1、提供硅衬底，加工功能电路层；S2、双光刻胶掩蔽注入；S3、沉积功能电路层互连介质及铜导线；S4、在功能电路层上生长存储阵列层：沉积厚度≤20nm的磷掺杂多晶硅层，浓度范围为1×1020‑1×1022atoms/cm3；刻蚀形成存储单元栅极；磷离子注入存储单元源漏；S5、形成垂直互连结构，连接存储单元与敏感放大器电路。通过上述加工方法，能够形成功能电路层和存储阵列层呈纵向堆叠结构，能够有效减少芯片面积28％，缩短信号传输路径40％，延迟降低至15ns。