一种垂直腔面发射激光器小阵列结构

本发明公开一种垂直腔面发射激光器小阵列结构，包括自下而上依次设置的负电极层、N型GaAs衬底、下层N型DBR、有源区层、电子阻挡层、孔径氧化限制层、上层P型DBR、小阵列结构和聚合物透镜层；有源区层包括两组啁啾量子阱，每组啁啾量子阱的两侧均设置有窄域陡变SCH层，两组啁啾量子阱通过隧道结连接形成双结结构；小阵列结构包括多个独立的小孔径VCSEL单元。本发明通过四组分量子阱增强热稳定性，拓展器件宽温域输出能力；通过双结结构实现多量子阱级联，显著提高微分增益和光增益带宽；通过啁啾量子阱拓宽增益谱，强化模式稳定性并扩展增益调控区间；通过小阵列结构达成单模高功率出光，破解穿透力与精度的性能矛盾。