一种高通道隔离度的三维异构集成四通道幅相多功能芯片

AITNT
正文
推荐专利
一种高通道隔离度的三维异构集成四通道幅相多功能芯片
申请号:CN202510964326
申请日期:2025-07-14
公开号:CN120475761A
公开日期:2025-08-12
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种高通道隔离度的三维异构集成四通道幅相多功能芯片,属于集成电路技术领域。该多功能芯片包括GaAs四通道幅相多功能射频芯片、SOI串并转换芯片以及用于通道隔离的SOI芯片。本发明解决了四通道幅相多功能芯片通道隔离度较低的问题。
技术关键词
多功能芯片 射频芯片 通道 数控移相器 单刀双掷开关 驱动放大器 异构 倒装工艺 数控衰减器 集成电路技术 控制线 射频电路 隔离墙 焊盘 控制电路 逻辑 电源线
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号