一种类Ω形状微同轴芯片结构、射频测试校准系统及方法

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推荐专利
一种类Ω形状微同轴芯片结构、射频测试校准系统及方法
申请号:CN202510965241
申请日期:2025-07-14
公开号:CN120453655B
公开日期:2025-09-16
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种超宽带同轴互联结构,属微波射频技术领域,解决传统接口异形配对导致的安装繁琐、误插风险及高频性能受限问题。其创新在于采用类Ω形矩形同轴传输线与SU‑8光刻胶介质支撑结合,实现圆形/矩形同轴及波导间无公母区分的高效连接。类Ω结构中段弹性缓冲区可吸收插拔时内导体形变,提升机械稳定性和耐用性。接口两端设置空腔结构抑制寄生耦合,内导体凸出设计增强电接触,保障高频段阻抗匹配及信号完整性。该结构支持多形态互联,在DC至110GHz实测中展现优异射频性能,理论上限达300GHz,适配多种接口、低损耗和简易组装优势。特别适用于高频测试与封装场景,为超宽带异构互联提供了可靠、低损耗的系统解决方案,显著降低操作复杂度并提升系统可靠性。
技术关键词
同轴接口 同轴连接器 射频测试校准 芯片结构 同轴线 介质支撑结构 矩形同轴传输线 短路片 支持多形态 微波射频技术 校准方法 外导体 波导接口 提升机械 光刻胶 弯曲
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