面向存储芯片的高效数据烧录与错误修正方法及系统

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推荐专利
面向存储芯片的高效数据烧录与错误修正方法及系统
申请号:CN202510966154
申请日期:2025-07-14
公开号:CN120472965B
公开日期:2025-10-17
类型:发明专利
摘要
本发明公开了面向存储芯片的高效数据烧录与错误修正方法及系统,涉及数据烧录与错误修正领域,本发明通过多级缓存与动态调节机制,实现了存储系统性能与可靠性的协同优化;通过一、二级缓存的层级设计,将高频访问数据优先保留在低延迟存储介质中,时延映射模型能预测不同容量配置下的性能表现,避免传统阈值设定的盲目性;结合存储错误次数与时延数据的双重判定条件,可识别硬件劣化早期征兆;动态调节冷热数据迁移阈值,提升了存储负载均衡度;另外,当缓存调节失效时自动触发存储区容量扩缩容,确保极端场景下的服务连续性。
技术关键词
错误修正方法 数据存储区域 存储芯片 时延 数据迁移 频率 程序存储区域 温数据存储 LSTM模型 修正系统 存储系统 连续性 动态 基础 层级 机制 场景
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