摘要
本发明公开了一种功率基板、功率模块及功率基板的制备方法,应用于功率器件技术领域,第一金属层位于绝缘层的底面并沿绝缘层的至少一个侧面包覆至绝缘层顶面的第一区域,第二金属层位于绝缘层顶面的第二区域,在绝缘层的顶面第一金属层与第二金属层相互隔离;绝缘层包括与待键合的功率芯片中衬底材质相同的主体层,主体层至少在顶面的第二区域设置有绝缘膜层,第二金属层通过绝缘膜层与主体层隔离。通过在设置主体层与待键合的功率芯片中衬底材质相同,可以保证绝缘层与功率芯片的热膨胀系数大体相同,使得绝缘层可以设置为一个平板。而通过设置包覆绝缘层的第一金属层,其可以增加整个绝缘层的结构强度,保证功率基板满足所需的结构性能。
技术关键词
功率芯片
基板
功率模块
功率器件技术
绝缘
衬底
氧化层
硅片
金属材料
平板
强度