摘要
本发明属于抗辐射电路设计技术领域,公开了一种基于多层级仿真的辐射剂量评估方法,通过构建驱控电路系统的仿真模型,将驱控电路系统中的集成电路器件建模形成分立器件模型,对分立器件模型中的晶体管器件进行TCAD建模并实现辐射剂量仿真分析,获得辐射总剂量输出特性,将辐射总剂量输出特性注入分立器件模型和驱控电路系统进行仿真,从而获得驱控电路系统整体电路的失效辐射剂量评估。本发明方法的辐射剂量评估方法克服了集成电路器件难以有效辅照仿真的技术问题,实现了复杂电路的整体高效辐射剂量评估,通过层级仿真有效提高评估精度,不需要进行辅照实验,成本较低。
技术关键词
剂量评估方法
分立器件
电路系统
集成电路器件模型
降压芯片
栅极驱动电路
仿真模型
晶体管
层级
稳压芯片
电压
三极管
曲线
电路设计技术
驱动芯片
电流
驱动信号
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