一种量子超导芯片片上温度和磁场环境的测量方法及电路

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正文
推荐专利
一种量子超导芯片片上温度和磁场环境的测量方法及电路
申请号:CN202510970212
申请日期:2025-07-15
公开号:CN120475894B
公开日期:2025-10-17
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种量子超导芯片片上温度和磁场环境的测量方法及电路,包括量子超导芯片,所述量子超导芯片设置有测温磁场测量模块,所述测温磁场测量模块使用两个约瑟夫森结并联组成DC‑SQUID结构,并且其中一条超导线支路附近紧贴放置外接电阻上,当需要测温时,向所述电阻中通入电流,升高电阻温度,加热局部超导线,使其中一路失超,此时只有一个约瑟夫森结接入电路;当测量磁场时,切断电阻中的电流,使超导线恢复超导,此时两个约瑟夫森结并联组成 DC‑SQUID 结构。与现有超导芯片测温方法相比本发明结构简单、测量简单、标定与温度计算方法简单以及灵敏度高、测量范围宽的优点,有效解决量子超导芯片的温度和磁场测量问题。
技术关键词
约瑟夫森结 超导线 磁场环境 测温模块 芯片测温方法 电阻 测量方法 温度计算方法 电流 电路 磁通 支路 加热 电压 硅片 关系
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