一种垂直发光二极管芯片及其制备方法

本发明涉及LED的技术领域，公开了一种垂直发光二极管芯片及其制备方法，包括：外延层和导电衬底，外延层上形成有N型导电台阶和隔离槽，外延层的一侧设置有电流扩展层、第一绝缘层、P型金属反射层和P型金属导电层，第一绝缘层覆盖电流扩展层，第一绝缘层上形成有第一通孔，P型金属反射层设置于第一绝缘层上，并通过第一通孔与电流扩展层相接触，P型金属导电层覆盖P型金属反射层，其中，第一绝缘层包括依次堆叠设置的第一绝缘子层、第二绝缘子层和第三绝缘子层，第一绝缘子层、第二绝缘子层和第三绝缘子层均为通入N2O和SiH4两种气体反应形成的SiO2薄膜。实施本发明，可以大幅减小绝缘层的应力，提高衬底的剥离良率。