一种高速探测器芯片及其制作方法

本发明涉及半导体器件技术领域，具体是一种高速探测器芯片及其制作方法，包括衬底、形成在衬底上的外延结构、形成在外延结构表面的钝化层，外延结构从下至上依次包括缓冲层、N‑接触层、电容扩展层、势垒过渡层Ⅰ、无掺杂吸收层、势垒过渡层Ⅱ、窗口层、势垒过渡层Ⅲ、P‑接触层，势垒过渡层Ⅱ、窗口层、势垒过渡层Ⅲ、P‑接触层中形成有扩散区；N‑接触层上形成有N电极接触金属，P‑接触层上形成有P电极接触金属，势垒过渡层Ⅲ上表面的钝化层设置有台阶结构，P电极接触金属上表面和台阶结构上表面还设有加厚金属层。本发明芯片结构简单，在扩散区和非扩散区交界处不易发生击穿，不需要制作透镜、不需要双面光刻，制作工艺简单。