一种电容结构及其制备方法

本发明提供一种电容结构及其制备方法，制备方法包括步骤：形成第一电容器结构，第一电容器结构包括第一衬底、第一沟槽型电容器、第一层间介质层及第一电极结构，形成第二电容器结构，第二电容器结构包括第二衬底、第一沟槽型电容器、第二层间介质层及第二电极结构，将第一电容器结构与第二电容器结构键合以使第一沟槽型电容器与第二沟槽型电容器并联，在第一衬底的第二面形成多个间隔设置的金属凸块，金属凸块通过TSV金属柱与第一电极结构电连接，或者在第二衬底的第二面形成多个间隔设置的金属凸块，金属凸块通过TSV金属柱与第二电极结构电连接。本发明的电容结构能够在有限的芯片面积下实现更高的电容容值。