离子束沉积仿真方法

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离子束沉积仿真方法
申请号:CN202510975496
申请日期:2025-07-15
公开号:CN120995810A
公开日期:2025-11-21
类型:发明专利
摘要
本发明涉及光刻技术领域,特别涉及一种离子束沉积仿真方法。本发明通过在离子束沉积仿真过程中引入空气层建模,精确考虑沉积原子在传输过程中的能量损失,提高了仿真模型的物理真实性,并基于接受拒绝采样法生成初始能量,进而得到沉积原子到达衬底表面的最终速度,能够精确模拟沉积原子的传输过程,并预测离子束沉积后的表面粗糙度,显著提高了沉积仿真的精度,充分还原了沉积过程中的真实情况,从而生成高精度的仿真模型,提高了仿真模型的准确性和实用性,提升了表面粗糙度的预测精确度。
技术关键词
仿真方法 离子束 仿真模型 空气层 衬底 粗糙度 速度 光刻技术 参数 可读存储介质 计算机 软件 轨迹 处理器 坐标 物理 接口 精度
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