QFN引线框架及其制备方法和QFN封装结构

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QFN引线框架及其制备方法和QFN封装结构
申请号:CN202510975961
申请日期:2025-07-16
公开号:CN120473392B
公开日期:2025-09-16
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种QFN引线框架及其制备方法和QFN封装结构,QFN引线框架中,平面管脚设在框架单元正面的四个角,尾翼管脚折弯后垂直于框架单元的正面,平面管脚和尾翼管脚对框架单元的每个角形成了半包围结构。本发明公开的QFN引线框架通过半包围结构分散应力,降低开裂、崩坏风险。平面管脚也提供了额外的可焊表面,使熔融焊料更容易润湿并附着,减少虚焊或拒焊的风险。QFN封装结构通过使用四周具有半包围结构的QFN引线框架,增强了封装的结构强度,有效防止了封装四角结构崩坏,提高了封装结构的整体稳定性。因为平面管脚和尾翼管脚并不会被塑封料包裹,QFN封装结构可以通过平面管脚和尾翼管脚进行散热。
技术关键词
框架单元 引线框架 QFN封装结构 尾翼 半包围结构 管脚折弯 贴装半导体芯片 四周边缘处 正面 基材 蚀刻工艺 阵列 风险 焊料 应力 包裹
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