多层光罩的关键尺寸控制方法

本发明提供了一种多层光罩的关键尺寸控制方法，包括：将多层光罩的版图分为多个芯片层，每个芯片层的四周均设有切割道区域；针对每个芯片层，在位于该芯片层的四周的切割道区域均摆放至少一组关键尺寸量测图形组，每一组关键尺寸量测图形组均包括至少一种尺寸与该芯片层的关键尺寸规格要求相匹配的密集图形以及至少一种尺寸与该芯片层的关键尺寸规格要求相匹配的孤立图形；制作多层光罩；测量多层光罩中的各组关键尺寸量测图形组的各个密集图形与各个孤立图形的尺寸；根据各个密集图形与各个孤立图形的尺寸的测量结果，对多层光罩的制作工艺进行控制。本发明可以解决多层芯片集成在一张光罩上制造导致的不同层芯片的关键尺寸均匀性下降的问题。