基于复合吸收层的电子束仿真方法及复合吸收层掩模版

本发明涉及光刻技术领域，特别涉及一种基于复合吸收层的电子束仿真方法及复合吸收层掩模版。本发明为了克服背散射电子因引发邻近效应导致抗蚀剂在目标图形周围区域发生非预期的曝光，而影响电子束直写精度的技术缺陷，对掩模版结构进行了优化设计，主要是对掩模版的双层吸收膜结构进行了结构优化设计。并且进行电子背散射仿真计算，筛选出结果较优的复合吸收层组合类型，该方法相较于传统通过实验进行设计和验证，极大地提高了掩模版结构优化效率，减少了材料的消耗，通过合理设置仿真计算参数，较快地筛选出优选掩模版模型，并针对性地对优选掩模版模型进行实验效果验证，提升了仿真模型的效果准确性和仿真方法的实用性。