一种倒扣封装芯片及其制备方法

本发明公开了一种倒扣封装芯片及其制备方法，属于半导体材料技术领域。该芯片的制备包括：对外延片进行初始氧化、减薄处理、去应力腐蚀、双面光刻、正面腐蚀、正面贴膜、背面腐蚀、撕膜、去胶、磷预扩散、磷再扩散、P+环光刻腐蚀、硼注入、第一次退火、N++光刻腐蚀、蒸Ni、形成硅化物、硅化物腐蚀、Ti和Al蒸发、Al腐蚀、钝化、钝化光刻腐蚀、焊盘金属蒸发、焊盘金属光刻腐蚀以及第二次退火。通过对芯片制备工艺进行改进，例如对外延片、背面腐蚀以及磷预扩散和磷再扩散的工艺进行调整，可获得正向压降较小且背标图形不易错位的倒扣封装芯片。