一种红光Micro-LED芯片的巨量转移方法

本发明提供一种红光Micro‑LED芯片的巨量转移方法，所述巨量转移方法包括以下步骤：(1)在基板1的一个表面涂覆多功能胶，固化，得到表面设置有多功能胶层的第一基板；(2)提供表面设置有芯片的晶圆，将步骤(1)得到的第一基板与晶圆键合，芯片与多功能胶层为键合面，得到第二基板；(3)依次去除所述第二基板表面的晶圆、多功能胶层的走道胶，得到第三基板；(4)在基板2的一个表面涂覆巨量转移承接材料，固化，得到第四基板；(5)将第三基板表面的芯片转移至第四基板表面，然后进行清洗和激光巨量焊接，完成红光Micro‑LED芯片的巨量转移。所述方法转移精度高，芯片良率高，且转移效率高。