碳化硅芯片接触电阻测试单元、机构及方法

本申请提供的碳化硅芯片接触电阻测试单元、机构及方法，测试单元提及，在欧姆接触层上下方设置金属层与底层，欧姆接触层设置了欧姆接触孔，垂直接触结构模拟实际芯片，电流路径一致，单孔快速测量，工艺兼容性高；测试机构提及，采用孔链结构，包括了多个测试单元，结构与实际芯片图形一致，测量结果可直接反映芯片量产工艺的接触性能，缩短工艺验证周期；测试方法提及，直接测量避免了TLM方法中曲线拟合和参数换算的间接性误差，结果更可靠，孔链结构通过多接触孔平均化处理，减少单一孔工艺波动的影响，支持单个单元独立测试或多单元组合测试，灵活性高，适用于不同规模的工艺监控需求。