深硅通孔制备方法、集成芯片制备方法及集成芯片

本申请公开了一种深硅通孔制备方法、集成芯片制备方法及集成芯片，涉及半导体制造技术领域。该深硅通孔制备方法包括：在晶圆的硅中介层上表面沉积氧化硅以形成氧化硅薄膜；在氧化硅薄膜上表面涂覆光刻胶，通过预设的通孔掩膜对光刻胶进行曝光显影以露出通孔区域；在刻蚀工艺腔内通过干法刻蚀工艺刻蚀通孔区域的氧化硅薄膜和硅中介层以形成深硅通孔；在刻蚀工艺腔内通过干法刻蚀工艺去除剩余的光刻胶和氧化硅薄膜。通过上述技术手段，在刻蚀通孔后直接在刻蚀工艺腔内采用干法刻蚀工艺去除光刻胶和氧化硅薄膜，无需转移晶圆到其他工艺台，简化了深硅通孔的制备工艺流程，提高了深硅通孔的制备效率。