一种抗辐照的忆阻器突触电路

本发明公开了一种抗辐照的忆阻器突触电路，涉及神经网络集成电路技术领域，本发明在四忆阻器突触电路的基础上，保留两个忆阻器实现权重极性的转变，将另两个忆阻器更换为不变的电阻，减小四忆阻器给权重更新曲线带来的非线性与不对称性影响；同时当忆阻器突触电路接收到外部电压Vin，由于忆阻器M1和忆阻器M2处于相反的极性，在外部电压的作用下，忆阻器M1和忆阻器M2会展现出相反的电导变化趋势，并分别与电阻R1和电阻R2进行分压，也就会使得第一分压支路的中间节点与第二分压支路的中间节点之间的电压差由正值变化到负值，或者由负值变化到正值，使得在辐照下忆阻器突触电路的权重更新功能不受影响，从而使得权重更新范围扩大。