基于国产化ARM芯片惯性导航高频数据长期存储方法

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基于国产化ARM芯片惯性导航高频数据长期存储方法
申请号:CN202510994157
申请日期:2025-07-18
公开号:CN120848803A
公开日期:2025-10-28
类型:发明专利
摘要
本发明涉及基于国产化ARM芯片惯性导航高频数据长期存储方法,通过配置移植exFAT文件系统、FreeRTOS实时操作系统,在系统最高优先级数据存储任务中周期性实时判断DMA双缓冲通道数据接收标志,如果标志有效,将接收到的惯性导航高频数据写入配置为exFAT格式SD卡内文件,如果标志无效,存储任务释放CPU资源等待下次进入;同时提供冗余操作,实时判断SD卡数据文件写入返回状态,如果写入未成功,重复写入多次操作,直到写入成功后退出任务,减少数据存储丢失风险。本发明实现了1000Hz频率下24小时数据量大于4GB、连续存储时间大于2000小时所有数据在SD卡内完整存储,适用于惯性导航领域对高频数据的长期存储需求,推动了国产化技术在高频数据处理中的应用与发展。
技术关键词
长期存储方法 实时操作系统 双缓冲模式 芯片 数据存储 标志 存储器 创建系统 SD卡 抢占式调度 文件系统 周期性重复 通信接口 冗余 串行接口 波特率 格式
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