一种抗半导体阈值电压离散的偏置自适应装置和方法

本发明公开了一种抗半导体阈值电压离散的偏置自适应装置和方法，偏置自适应装置与多功能芯片单片同质集成，在多功能芯片和偏置自适应装置经历相同的状态，偏置自适应装置和多功能芯片的阈值电压均产生一致的离散时，偏置自适应装置的链路阻值随之改变，输出多个跟随阈值电压离散变化的偏置电压，从而对多功能芯片任意类型的组合提供不同阈值电压离散灵敏度下的栅极动态参考电压曲线，保证多功能芯片管芯的静态工作状态不发生改变。本发明装置适用于晶圆生产制造、芯片装配、可靠性试验和环境试验等过程引起的多功能芯片阈值电压偏移。能够明显扩大需要精准控制栅极偏置电压精度的多功能芯片的设计窗口，同时显著提升芯片的成品率。