一种射频磁控溅射方法及装置

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一种射频磁控溅射方法及装置
申请号:CN202510996571
申请日期:2025-07-18
公开号:CN120648994A
公开日期:2025-09-16
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种射频磁控溅射方法及装置,其涉及磁控溅射技术领域,在射频磁控溅射装置中包括气体室、高压辅助模块、射频发生装置以及控制模块,通过利用高压辅助模块进行直流起辉,再切换至射频发生装置进行溅射,从而克服了纯射频溅射起辉慢的缺点,提高金属靶材溅射的启动效率。
技术关键词
磁控溅射方法 射频隔离电路 高压 震荡电路 生成等离子体 射频磁控溅射装置 气体 升压电路 UC3842芯片 辅助电源 低功率 脉冲信号占空比 滑动变阻器 控制模块 镀膜
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