摘要
本发明公开了一种射频磁控溅射方法及装置,其涉及磁控溅射技术领域,在射频磁控溅射装置中包括气体室、高压辅助模块、射频发生装置以及控制模块,通过利用高压辅助模块进行直流起辉,再切换至射频发生装置进行溅射,从而克服了纯射频溅射起辉慢的缺点,提高金属靶材溅射的启动效率。
技术关键词
磁控溅射方法
射频隔离电路
高压
震荡电路
生成等离子体
射频磁控溅射装置
气体
升压电路
UC3842芯片
辅助电源
低功率
脉冲信号占空比
滑动变阻器
控制模块
镀膜
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