一种雾化填孔方法和对应的二流体雾化填孔装置

AITNT
正文
推荐专利
一种雾化填孔方法和对应的二流体雾化填孔装置
申请号:CN202511000269
申请日期:2025-07-21
公开号:CN120834079A
公开日期:2025-10-24
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种雾化填孔方法,其既解决了芯片通孔底部的残留应力和可靠性问题,又降低了封装成本。在芯片背部硅通孔互连结构的腔体及表面通过二流体雾化填孔装置将非导电填料喷印形成非导电填料区域,所述非导电填料填充于硅通孔的腔体、且印附于芯片的外露表面,且印附于芯片外露表面的非导电填料层设置有焊盘开口。
技术关键词
填孔装置 填孔方法 流体雾化 非导电填料 硅通孔互连结构 芯片 氧化物陶瓷材料 聚合物溶液 有机介电材料 外露 腔体 气体 混合腔 进气口 聚合物材料 液体 空隙 掩模板
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号