芯片金属层的填充方法、装置、存储介质及计算机设备

本申请实施例公开了一种芯片金属层的填充方法、装置、存储介质及计算机设备，涉及芯片设计领域。本申请先对芯片开展静态时序分析，判断其是否满足预设时序要求。若满足，则进行设计规则检查并获取金属层密度分布数据，据此识别出密度不达标的目标区域。接着，依据预设局部优化规则，计算虚拟金属dummy metal的形状与大小，并在目标区域填充。填充后再次检测时序，若仍满足要求，便输出芯片版图；若不满足，则重新依据规则计算并填充dummy metal，直至时序达标。本技术方案通过局部优化填充替代传统全局填充，精准处理密度不足区域，有效控制寄生电容引入，避免全芯片重新STA分析，缩短设计周期，提升芯片制造良率与性能。