一种双面散热、大电流、高浪涌的肖特基二极管及封装结构以及制备方法

本发明涉及一种双面散热、大电流、高浪涌的肖特基二极管及封装结构，属于功率半导体器件封装技术领域，包括：TK3金属陶瓷管座和上电极，所述TK3金属陶瓷管座包括封接环、下电极和陶瓷框，所述上电极延伸至封接环之间，所述陶瓷框绕设在封接环的外侧，所述上电极和下电极之间设置有芯片烧结区。本发明中使用的TK3金属陶瓷外壳由钼、Al2O3陶瓷、4J42可伐合金等相近线膨胀系数的材料组合而成，采用分步组装同步焊接的工艺；本发明的双面散热、大电流、高浪涌肖特基二极管采用金锡焊料为焊接材料，降低了不同材料在高温烧结过程产生的应力，有效防止封装、使用过程中可能出现的二次融化，提高了该类产品组装工艺的可靠性。