一种应用于芯片异质表面化学机械抛光同步去除的调控方法

本发明公开了一种应用于芯片异质表面化学机械抛光同步去除的调控方法，包括以下步骤：第一步，基于摩擦学原理，总结出化学机械抛光中的两类去除模式：机械犁沟和化学成键，并提出各自的调控方法，具体来说，对于机械犁沟，调控抛光液中的氧化剂、络合剂、缓蚀剂，改变表面机械强度，调控去除速率；对于化学成键，调控抛光液中的氧化剂、离子强度，改变界面化学键数量，调控去除速率；第二步，对于异质表面中各个材料，根据其化学机械抛光中去除速率及表面粗糙度变化趋势，结合表面机械强度变化趋势，判断其去除模式；第三步，根据各个材料去除模式的异同情况，结合第一步中两类去除模式的调控方法，提出异质表面化学机械抛光同步去除的调控方法。