一种宽带抗色散的光子集成耦合器件设计方法

本发明属于集成光电子技术领域，具体涉及一种宽带抗色散的光子集成耦合器件设计方法，本发明包括以下步骤：S1、基于光子集成耦合器件，其结构建立在硅基底之上，包含输入波导、输出波导，以及连接二者的过渡区；S2、过渡区的侧壁轮廓采用经过特殊优化的非线性曲线形状；S3、曲线轮廓是通过数值优化算法设计的；S4、几何形状能够引导光模式平滑、绝热地演变，使得器件性能对芯层材料和包层材料的折射率变化具有高度的鲁棒性。本发明提出的设计方法和结构思想可应用于多种光子集成器件，为开发各类高性能宽带光子芯片提供了新的途径。