一种TNPC变流器单相功率模块及封装方法

本发明公开了一种TNPC变流器单相功率模块及封装方法，属于功率器件封装技术领域，包括两层DBC基板的导电层相对设置，两层DBC基板的导电层之间安装SiC‑MOS芯片和钼块，SiC‑MOS芯片的原始源极划分为源极与开尔文源极，SiC‑MOS芯片的漏极与DBC基板的导电层相接，源极上设置源极钼块，栅极连接有栅极信号端子，开尔文源极连接有开尔文源极信号端子；TNPC变流器单相功率模块的散热方式为双面散热，双面散热封装的TNPC变流器单相模块的布局，将TNPC变流器单相模块的换流回路从二维转向三维，利用互感相消原理，减小了所有换流回路的寄生电感，额外热通路能够使得模块的热阻得以降低，能够有效降低芯片的最高结温，使得芯片不容易发生热失效。