一种金属薄膜沉积方法及金属薄膜

本发明涉及量子芯片制造技术领域，尤其涉及一种金属薄膜沉积方法及产物。包括：包括：S1、提供衬底；S2、对所述衬底依次进行金属沉积处理和熟化处理，在所述衬底表面获得目标厚度的金属薄膜。本发明解决了目前传统的电子束蒸镀法沉积方法制备金属薄膜时结晶质量差的技术问题，克服了晶畴尺寸小、晶界缺陷密度高的结晶缺陷，采用依次进行金属沉积、熟化处理的制备方式，促使不稳定的成核位点通过扩散作用合并形成稳定原子团，进而提升了金属薄膜的质量。本发明所得金属薄膜产物质量高，且易于实施，可操作性强，具有广阔的应用前景。